|
| MOQ: | 1kg |
| 価格: | US $100/kg |
| 標準パッケージ: | シリンダー/タンク |
| 配達期間: | 15日 |
| 支払方法: | L/C,T/T |
| 供給能力: | 5000kg/Month |
ゲルマンガス (GeH4) は,色のない,燃やす易い,高毒性のあるガスである.それは4つの水素原子と結合した1つのゲルマン原子から構成される.ゲルマンは周期表の 14 番目の元素のメンバーですガス に 関する 重要な 点 は 次 の よう です.
属性: ゲルマンガスにはいくつかの重要な属性があります.
燃焼性: ゲルマン は 燃える ガス で,空気 と 爆発 的 な 混合物 を 形成 する こと が でき ます.非常に 慎重 に 扱わ れ,発火 源 から 遠ざかっ て 保管 さ れる べき です.
毒性: ゲルマン は 極めて 毒性 が 強く,健康 に 深刻な 影響 を もたらす こと が あり ます.ゲルマン を 吸い込み たり 接触 し たり する と,呼吸 路 の 刺激,めまい,頭痛,高濃度 で 死さえ 致し ます..
反応性: ゲルマンは反応性があり,様々な物質と化学反応を起こし,高温や特定の触媒の存在下で分解する.
生産: ゲルマンガスは以下のようないくつかの方法によって生産することができる.
ゲルマニウムと水素の反応:ゲルマニウムは高温でゲルマニウム金属と水素ガスとの直接反応によって合成することができる.
化学蒸気堆積 (CVD): 化学蒸気堆積技術を用いて薄膜のゲルマニウム堆積中に副産物としてゲルマンが形成される.
用途:ゲルマンガスには,以下のような特殊用途があります.
半導体製造: 半導体の生産,特に電子機器および光電子機器のためのゲルマニウムを含む薄膜の堆積に使用される.
研究開発: ゲルマニアムガスは,ゲルマニアム化学の研究,薄膜成長過程の研究,新しい材料と応用を模索し.
安全 に 関する 考え方: ガス は 毒性 が 高い もの で,健康 や 安全 に 重大な 危険 を 引き起こす.ガス を 正しく 扱う こと,保管 し,使用 する こと に は,厳格 な 安全 プロトコル や ガイドライン を 遵守 する べき です.十分な換気 を 確保 する こと が 重要 です, パーソナル・プロテクションを使用し,ゲルマンガスと作業する際に適切な安全対策が実施されていることを確認します.
毒性や易燃性があるため,ゲルマンガスは,制御された実験室や産業環境で訓練された専門家によってのみ扱われるべきです.
基本情報
| モデルNO | GeH4 | 構成要素 | ドイツ語 99.999% |
| 格付け基準 | 電子グレード | 化学特性 | 燃える気体 |
| 商標 | CMC | 輸送パッケージ | 44L |
| 仕様 | 99.999 | 原産地 | 中国 |
| ゲルマン (GeH4) | |||
| 記述 | |||
| ゲルマンは燃え易く,色のないガスで,特徴的な鋭い,吐き気味があります.沸点は -90°Cです. 不安定で,330°C以上の温度に加熱すると爆発的に分解します. | |||
| 仕様 | |||
| 純度 % | 99.999 | ||
| 酸素+アルゴン | ≤0.5 ppmv | ||
| 窒素 | ≤2.0 ppmv | ||
| 二酸化炭素 | ≤2.0 ppmv | ||
| 炭化物 | ≤1.0 ppmv | ||
| メタン | ≤1.0 ppmv | ||
| 水 | ≤1.0 ppmv | ||
| クロロゲルマン | ≤5.0 ppmv | ||
| ディジャーマン* | ≤20.0 ppmv | ||
| ゲルモキサン | ≤5.0 ppmv | ||
| 水素* | ≤50.0 ppmv | ||
| トリジャーマン | ≤1.0 ppmv | ||
| 船舶 | |||
| DOT 発送名 | ゲルマン | ||
| DOT分類 | 2.3 | ||
| DOTラベル | 有毒ガス,燃えるガス | ||
| UN番号 | UN2192 | ||
| CAS番号 | 7782-65-2 | ||
| CGA/DISS/JIS | 350/632/W22-14L | ||
| 送料として | 圧縮ガス | ||
| 技術情報 | |||
| シリンダー状態 @ 21.1°C | ガス | ||
| 空気 の 燃える 限界 | 0.5-100% | ||
| 自動点火温度 (°C) | 54.4 | ||
| 分子重量 (g/mol) | 76.62 | ||
| 固有重力 (空気=1) | 2.65 | ||
| 臨界温度 (°C) | 34.8 | ||
| 臨界圧 (psig) | |||
| 申請 | |||
| エピタキシアルとアモルフシリコン・ゲルマニウム合金堆積に使用され 制御可能な光学屈折率を持つ (Si,Ge) O2フィルムのPECVD |
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| MOQ: | 1kg |
| 価格: | US $100/kg |
| 標準パッケージ: | シリンダー/タンク |
| 配達期間: | 15日 |
| 支払方法: | L/C,T/T |
| 供給能力: | 5000kg/Month |
ゲルマンガス (GeH4) は,色のない,燃やす易い,高毒性のあるガスである.それは4つの水素原子と結合した1つのゲルマン原子から構成される.ゲルマンは周期表の 14 番目の元素のメンバーですガス に 関する 重要な 点 は 次 の よう です.
属性: ゲルマンガスにはいくつかの重要な属性があります.
燃焼性: ゲルマン は 燃える ガス で,空気 と 爆発 的 な 混合物 を 形成 する こと が でき ます.非常に 慎重 に 扱わ れ,発火 源 から 遠ざかっ て 保管 さ れる べき です.
毒性: ゲルマン は 極めて 毒性 が 強く,健康 に 深刻な 影響 を もたらす こと が あり ます.ゲルマン を 吸い込み たり 接触 し たり する と,呼吸 路 の 刺激,めまい,頭痛,高濃度 で 死さえ 致し ます..
反応性: ゲルマンは反応性があり,様々な物質と化学反応を起こし,高温や特定の触媒の存在下で分解する.
生産: ゲルマンガスは以下のようないくつかの方法によって生産することができる.
ゲルマニウムと水素の反応:ゲルマニウムは高温でゲルマニウム金属と水素ガスとの直接反応によって合成することができる.
化学蒸気堆積 (CVD): 化学蒸気堆積技術を用いて薄膜のゲルマニウム堆積中に副産物としてゲルマンが形成される.
用途:ゲルマンガスには,以下のような特殊用途があります.
半導体製造: 半導体の生産,特に電子機器および光電子機器のためのゲルマニウムを含む薄膜の堆積に使用される.
研究開発: ゲルマニアムガスは,ゲルマニアム化学の研究,薄膜成長過程の研究,新しい材料と応用を模索し.
安全 に 関する 考え方: ガス は 毒性 が 高い もの で,健康 や 安全 に 重大な 危険 を 引き起こす.ガス を 正しく 扱う こと,保管 し,使用 する こと に は,厳格 な 安全 プロトコル や ガイドライン を 遵守 する べき です.十分な換気 を 確保 する こと が 重要 です, パーソナル・プロテクションを使用し,ゲルマンガスと作業する際に適切な安全対策が実施されていることを確認します.
毒性や易燃性があるため,ゲルマンガスは,制御された実験室や産業環境で訓練された専門家によってのみ扱われるべきです.
基本情報
| モデルNO | GeH4 | 構成要素 | ドイツ語 99.999% |
| 格付け基準 | 電子グレード | 化学特性 | 燃える気体 |
| 商標 | CMC | 輸送パッケージ | 44L |
| 仕様 | 99.999 | 原産地 | 中国 |
| ゲルマン (GeH4) | |||
| 記述 | |||
| ゲルマンは燃え易く,色のないガスで,特徴的な鋭い,吐き気味があります.沸点は -90°Cです. 不安定で,330°C以上の温度に加熱すると爆発的に分解します. | |||
| 仕様 | |||
| 純度 % | 99.999 | ||
| 酸素+アルゴン | ≤0.5 ppmv | ||
| 窒素 | ≤2.0 ppmv | ||
| 二酸化炭素 | ≤2.0 ppmv | ||
| 炭化物 | ≤1.0 ppmv | ||
| メタン | ≤1.0 ppmv | ||
| 水 | ≤1.0 ppmv | ||
| クロロゲルマン | ≤5.0 ppmv | ||
| ディジャーマン* | ≤20.0 ppmv | ||
| ゲルモキサン | ≤5.0 ppmv | ||
| 水素* | ≤50.0 ppmv | ||
| トリジャーマン | ≤1.0 ppmv | ||
| 船舶 | |||
| DOT 発送名 | ゲルマン | ||
| DOT分類 | 2.3 | ||
| DOTラベル | 有毒ガス,燃えるガス | ||
| UN番号 | UN2192 | ||
| CAS番号 | 7782-65-2 | ||
| CGA/DISS/JIS | 350/632/W22-14L | ||
| 送料として | 圧縮ガス | ||
| 技術情報 | |||
| シリンダー状態 @ 21.1°C | ガス | ||
| 空気 の 燃える 限界 | 0.5-100% | ||
| 自動点火温度 (°C) | 54.4 | ||
| 分子重量 (g/mol) | 76.62 | ||
| 固有重力 (空気=1) | 2.65 | ||
| 臨界温度 (°C) | 34.8 | ||
| 臨界圧 (psig) | |||
| 申請 | |||
| エピタキシアルとアモルフシリコン・ゲルマニウム合金堆積に使用され 制御可能な光学屈折率を持つ (Si,Ge) O2フィルムのPECVD |
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